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华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件
发布日期:2022-01-28 02:08   来源:未知   阅读:

  华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件

  2020年7月4日 – 华润微电子(CRMICRO)正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

  华润微电子是中国本土规模最大、产品系列最为齐全的硅功率器件研发和生产企业。多年前公司着手布局宽禁带半导体器件,在产品研发过程中利用产业链完整优势和在硅功率器件领域积累的丰富经验,同时与浙江大学深度合作,使其前期研究成果在公司成功实现产业化;已经完成研发并实现量产的1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品性能卓越,主要关键器件参数,如导通电压(VF),反向恢复电荷 (Qrr) 和 抗浪涌能力(IFSM)均与国际一线品牌对标,在系统应用中拥有与竞争对手一致的性能,可以满足市场上用户的需求。

  华润微电子有限公司功率器件事业群总经理李虹(左)和 华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔(右)共同见证华润微SiC肖特基二极管发布。

  华润微电子SiC肖特基二极管产品系列丰富,能够满足各类目标应用的需求。1200V产品电流等级从2A到40A,春节白酒市场观察:线下促销力度大 “酒味,典型封装有TO-220, TO-247和DPAK。主要聚焦于太阳能,UPS,充电桩,储能,车载电源等应用。650V产品电流等级为4A到16A,封装为TO-220,主要聚焦于服务器电源,通讯电源等高效开关电源应用。华润微电子SiC肖特基二极管系列产品已经量产,客户可洽询样品。

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  (SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成

  电路中使用,虽然只是那么一小个半导体元件,但是起到至关重要的作用,下面就跟着台湾佰鸿一

  ,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压的条件下会处于导通的状态,电压也不再升高,所以用在重要元

  ,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压的条件下会处于导通的状态,电压也不再升高,所以用在重要元

  /TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。

  由此产生的开关损耗而限制了这些系统的效率。因此,优选带隙较高的材料,例如

  上施加反向偏置时,其反向漏电流可有以下三个部分组成: 1)     耗尽区内空间电荷产生电流; 2)     中性区内载流子产生的扩散电流; 3)

  /10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4种封装。

  ,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流

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  已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。

  广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。在不同的应用中,需要考虑不同的因素,而且,不同的

  将主打充电桩、太阳能、UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国

  开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC

  。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属——半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属——半导体(接触)

  (5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结 型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通

  的正反向恢复特性、MOS-FET并联均流特性以及容性状态下电流型逆变器工作过程进行了研究。提出了在电流型逆变器

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  。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象.

  (SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成

  。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4

  被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路,作为低压、高频、大电流整流

  。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4

  的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁

  (Schottky Rectifier Diode 缩写成SR),也有人叫做:

  (Schottky Barrier Diode 缩写成SBD)的简称。

  被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路,作为低压、高频、大电流整流

  中国,北京,2017年5月25日讯 -Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列

  正温度系数,易于并联使用• 不受温度影响的开关特性• 最高工作温度175℃ •零反向恢复电流• 零正向恢复电压

  产品特性 • 正温度系数,易于并联使用 •不受温度影响的开关特性 • 最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压

  •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压

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  东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其

  (SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A

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  (SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是

  (SBD)“SCS210AG/AM”,已从2012年6月开始样品供货。该产品与该公司的原产品相比,正向电压降低了10%,“为业界最小”(该

  的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在

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  )工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。

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